sic是什么材料

1、外延层的质量对芯片和器件的性能有着直接影响，因此在整个生产成本中占据了大约23%的比例。目前，常用的外延方法包括化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）、液相外延法（LPE）、脉冲激光沉积和升华法（PLD）。

2、企业不仅需要拥有先进的生产设备，还需要具备丰富的技术经验和研发能力，以确保外延片的质量和性能。相比之下，虽然衬底作为外延片生长的基材也具有一定的技术含量，但其制造过程和技术难度相对较低，且市场上存在更多的供应商和竞争者。因此，从技术含量和难度来看，外延片的技术含量要高于衬底。

3、碳化硅外延技术涉及在碳化硅衬底上表面生长一层与衬底同质的单晶材料4H-SiC。氮化镓外延片材料种类繁多，主要根据衬底材料的不同，可划分为以下四种类型：1）硅基氮化镓（GaN-on-Si）：作为最成熟和成本最低的衬底材料，硅基上外延氮化镓具有成本优势和快速生长速度，能够制作大尺寸外延片。